X-ray qualification of hydrogenated amorphous silicon sensors on flexible substrate
Authors
M. Menichelli, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
L. Antognini, École Polytechnique Fédárale de Lausanne (EPFL)
A. Bashiri, Azienda Ospedaliera S. Maria di Terni
M. Bizzarri, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
L. Calcagnile, Università del Salento
M. Caprai, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
A. P. Caricato, Università del Salento
R. Catalano, INFN - Laboratori Nazionali del Sud
G. A.P. Cirrone, INFN - Laboratori Nazionali del Sud
T. Croci, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
G. Cuttone, INFN - Laboratori Nazionali del Sud
S. Dunand, École Polytechnique Fédárale de Lausanne (EPFL)
M. Fabi, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Firenze
L. Frontini, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Milano
C. Grimani, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Firenze
M. Ionica, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
K. Kanxheri, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
M. Large, Azienda Ospedaliera S. Maria di Terni
V. Liberali, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Milano
M. Martino, Università del Salento
G. Maruccio, Università del Salento
G. Mazza, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
A. G. Monteduro, Università del Salento
A. Morozzi, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
F. Moscatelli, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
S. Pallotta, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Firenze
A. Papi, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
D. Passeri, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
M. Pedio, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Perugia
Publication Name
Proceedings - 2023 9th International Workshop on Advances in Sensors and Interfaces, IWASI 2023
Abstract
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a well known material for its radiation resistance and for the possibility of deposition on flexible substrates like Polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN). Due to the properties of a-Si:H its usage for dosimetry, beam monitoring for particle physics and nuclear medicine, as well as, radiation flux measurement for space applications and neutron flux measurement can be foreseen. In this paper the dosimetric X-ray response of p-i-n diodes deposited on Polyimide will be studied. In particular we will study the linearity of the photocurrent response to X-rays versus dose-rate from which we will extract the dosimetric sensitivity at various bias voltages. We will repeat this study for devices having two different areas (2 mm x 2 mm and 5 mm x 5 mm) also a measurement of stability of X-ray response versus time will be shown.
Open Access Status
This publication is not available as open access
Funding Sponsor
Instituto Nazionale di Fisica Nucleare
